光电薄膜技术专题,硅薄膜,氧化物薄膜,薄膜电极类技术资料

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光电薄膜技术专题,硅薄膜,氧化物薄膜,薄膜电极类技术资料(268元/全套)欢迎选购！请记住本套资料（光盘）售价：268元/全套)；资料（光盘）编号：F319339敬告：我公司只提供技术资料，不能提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。[26845-0027-0001] 具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器 [摘要] 一个适用于动态激活光电显示器的电路是由薄膜绝缘栅半导体器件构成的。这种器件包括仅产生少量漏电流的ＰＭＯＳＴＦＴS。除该动态电路以外，还构成了既包括ＮＭＯＳ又包括ＰＭＯＳ薄膜晶体管的ＣＭＯＳ电路，用以驱动该动态电路。[26845-0011-0002] 新型纳米多孔薄膜及其制备方法 [摘要] 本发明公了一种新型纳米多孔薄膜及其制备方法，是一种二氧化钛TiO2、二氧化锡SnO2、三氧化钨WO3、氧化锌ZnO或氧化锆ZrO半导体材料薄膜，薄膜中有不规则孔。其制备方法，其特征在于包括以下步骤：1.制备半导体材料的纳米胶体溶液，2.加热，使胶体溶液变成有团聚颗粒沉淀的乳浊液，3.浓缩乳浊液，4.加入高分子表面活性剂并拌均成浆料，5.将浆料涂膜一次或多次，6.烧结。本发明通过制成多层膜，掺入大颗粒，光电转换效率提高10-30％。[26845-0274-0003] pn结MgxZn1-xO薄膜日盲区紫外探测器件 pn结MgxZn1-xO薄膜日盲区紫外探测器件属于光电探测技术领域。现有技术采用MgxZn1-xO薄膜作为光电转换器件，其光谱响应度有待提高；而虽然pn结MgxZn1-xO薄膜因pn结的雪崩作用而具有很高的转换效率，但只是被用做电光转换器件。本发明采用pn结MgxZn1-xO薄膜，底部电极介于衬底与pn结MgxZn1-xO薄膜之间，偏置电压电极、信号电压电极位于pn结MgxZn1-xO薄膜上表面且相离，偏置电压电极与底部电极为pn结MgxZn1-xO薄膜提供偏置电压，信号电压电极与底部电极将pn结MgxZn1-xO薄膜产生的信号电压输出。该方案应用于200～300nm紫外导弹尾焰探测、紫外告警、化学火焰探测等领域。[26845-0387-0004] 一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺 [摘要] 本发明公开了一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池结构及其工艺，该结构主要包含一衬底；一透明导电膜；一非晶硅P型半导体层；一超晶格半导体层；一本征型(i型)半导体层；一N型半导体层以及一电极。其中，该超晶格半导体层利用不同材料的薄膜相互堆叠而成，用以提高光电特性，并增加太阳能电池的光电转换效率。[26845-0130-0005] 一维酞菁化合物纳米薄膜及其制备方法 [摘要] 本发明属于有机半导体薄膜材料技术领域，具体为一种一维酞菁类化合物纳米薄膜及其制备方法。该薄膜由酞菁类化合物经电化学沉积法制备获得，厚度为15-500nm，酞菁类化合物为酞菁铝、酞菁铜、酞菁钴、酞菁镍、酞菁氧钛或酞菁氧钒等。本发明可通过调控电沉积的电压、电流、沉积液浓度、电极等因素，制备得不同形态和结构的一维酞菁类有机纳米薄膜，方法简便易行，效率高，成本低，成膜均匀，薄膜的热稳定性高，易于工业化生产。本发明可用于导电、传感和光电转换材料等领域。[26845-0057-0006] 低温下用磁控溅射技术制备无应力氧氮硅薄膜 [摘要] 本发明涉及制备微电子介电层、光电子材料与器件保护层、介电层。在Si3N4薄膜中掺入适量的SiO2，再利用磁控溅射技术，通过调节射频功率、气压和N2/O2的气体流速比，在低温条件下制备出无应力a－SiOxNy薄膜。本发明实现超厚保护膜的生长，以满足光电子器件绝缘层、保护层等方面的需要。SiON薄膜折射率变化范围从1.5到1.6。薄膜厚度为40－50nm条件下，平均介电击穿电场在8－10MV/cm范围变化。低温制备无应力介电薄膜在微电子超大规模集成电路制造技术中具有重要应用。本发明还可以在其它有机高分子基片上制备a－SiON薄膜。[26845-0409-0007] 药物包装盒薄膜捆包机 [摘要] 本实用新型公开了一种药物包装盒薄膜捆包机，该机包括有包装盒送入机构、推送机构、积盒机构、捆包机构、成品送出机构和机体，所述机体上设有控制面板(1)，所述积盒机构中设有积盒架(20)、气缸(10)、光电眼(22)和感应开关(23)，所述感应开关与计数器电连接，所述捆包机构具有上热封装置(8)、下热封装置(11)和压盒装置(9)，其特征在于所述推送机构为一气缸(7)，在该气缸上设有接近开关，该接近开关通过继电器、电磁阀与所述压盒装置、上下热封装置的气缸连接，所述成品送出机构为一个固定在机体(17)上的台板(12)。本实用新型采用气缸为执行元件，采用光电眼、感应开关为监测设备，提高了机器的自动化程度，提高了生产效率，必将给广大药厂的药物包装带来积极的使用效果。[26845-0093-0008] 薄膜太阳能电池的超白反射层 [摘要] 本发明公开了一种薄膜太阳能电池的超白反射层。薄膜太阳能电池的反光背电极由一个足够厚的透明导电氧化物(TCO)薄膜和一个施加在其后的具有高度光反射性的超白反射层构成，使得弱吸收的长波光在TCO与超白反射层的界面被反射回太阳能电池的半导体吸收层，从而增强光捕获能力和光电转换效率。[26845-0173-0009] 用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法 [摘要] 用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法，涉及光电产业及半导体产业所需的金属溅射靶材及其制备。其是将铜、镓单质金属混合，在气体保护下或真空中，熔炼后浇注，同时急冷成型；所形成的合金溅射靶材，镓的原子百分比含量为25％～67％，具有微细化及高均质化的特性。本发明具有工艺简便，效率高，成本低，稳定性好等优点，通过简便的急冷成型工艺，避免了繁琐的工序，为磁控溅射铜铟镓硒吸收层前驱膜的制备工艺提供了便捷和稳定的保证。[26845-0039-0010] 探测与监控薄膜外延生长和热退火的光反射差法及装置 [摘要] 本发明涉及一种光学与监控装置。该装置由激光器、调制器、平面镜组、光电探测器、放大器和数据采集处理系统等组成，其特征在于：激光器（１）输出偏振光前方安置一调制器，经过调制的偏振光通过安置在光路上的１块以上平面平行光学介质片后，入射到被测基片表面，经膜表面反射后到光探测器，探测信号经放大器放大，输入到数据采集系统。该装置独立于制膜系统，置于制膜室外，具有应用面广、使用简便等特点，是用于探索和监控层状外延生长高质量外延薄膜材料与材料热处理的有力工具。[26845-0036-0011] 形成氧化锌薄膜的方法和使用此薄膜制备半导体元件基体和光电元件的方法[26845-0337-0012] 一种铁磁薄膜的磁弹性性能同时在线检测方法[26845-0339-0013] 利用自对准工艺形成薄膜光电互连的方法[26845-0150-0014] 溶胶－凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜[26845-0216-0015] 具有紫外发光性能的氧化锌纳米片薄膜材料及其制备方法[26845-0311-0016] 染料敏化纳晶薄膜太阳能电池光电极及其制备方法[26845-0127-0017] 硅薄膜异质结太阳电池的制备方法[26845-0279-0018] 陶瓷靶，由氧化锌、镓和硼构成的薄膜以及该薄膜的制备方法[26845-0119-0019] 一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法[26845-0304-0020] 掺杂金属的染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极的制备方法[26845-0043-0021] 层间各异的多层薄膜中的电荷发生器[26845-0137-0022] 纳米晶CoZnO紫外发光薄膜及其制备方法[26845-0045-0023] 内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜及应用[26845-0022-0024] 耐热薄膜光电转换器[26845-0391-0025] 二氧化钛基有机-无机复合薄膜的制备及采用该薄膜制备微光器件的方法[26845-0120-0026] 一种ZnO基透明薄膜晶体管及其制备方法[26845-0097-0027] 双光束在线实时测量光学薄膜应力的装置及其测量方法[26845-0270-0028] 一种基于无机纳米片的光电转换薄膜及其制备方法[26845-0148-0029] 一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜[26845-0230-0030] 薄膜应力测量装置及其测量方法[26845-0275-0031] 柔性衬底上室温溅射沉积氧化铟锡透明导电薄膜的方法[26845-0244-0032] 在移动的热玻璃表面沉积氧化锡基薄膜的方法[26845-0332-0033] 一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法[26845-0065-0034] 一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法[26845-0073-0035] 一种电子束蒸发生长MgxZn1-xO薄膜的方法[26845-0237-0036] 光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法[26845-0249-0037] 一种测量光学薄膜吸收损耗的方法[26845-0320-0038] 有机化合物及使用了它的半导体薄膜电极、光电转换元件、光电化学太阳能电池[26845-0104-0039] 光学薄膜厚度在线实时监控仪[26845-0364-0040] Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法[26845-0184-0041] 太阳能电池纳米晶硅薄膜的物理气相沉积装置及其方法[26845-0303-0042] 层叠体薄膜的粘贴方法[26845-0156-0043] 具有可见光响应的多孔薄膜半导体光电极及光电化学反应装置及制备[26845-0203-0044] 用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法[26845-0351-0045] 一种硅薄膜太阳能电池[26845-0009-0046] 薄膜光光上转换图象显示装置及制备方法[26845-0330-0047] 薄膜晶体管基板的制造方法[26845-0176-0048] 在水溶液中大面积快速制备一维氧化锌阵列薄膜的方法[26845-0139-0049] 氧化锌掺杂的二氧化硅薄膜材料的制备方法[26845-0144-0050] 包括薄膜电路元件的电子器件的制造[26845-0129-0051] 具有抗全反射增透薄膜的发光二极管及其制备方法[26845-0171-0052] 射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法[26845-0052-0053] 掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及制备和应用[26845-0422-0054] 纳米薄膜太阳能电池[26845-0055-0055] 一种具有光电和电光转换的有机薄膜双功能器件[26845-0289-0056] 增加太阳能光伏电池光电转化率的透明薄膜的制备[26845-0094-0057] 氢氩高稀释方法生产氢化硅薄膜[26845-0405-0058] 一体化双视场实时薄膜微变形测量仪[26845-0107-0059] 光电控制塑料薄膜自动封切机[26845-0136-0060] 一种四氯苯醌/三苯基磷可控掺杂四取代酞菁铜薄膜及其制备方法[26845-0161-0061] 一种具有氢致变色功能的多元合金薄膜及其制备方法[26845-0089-0062] 薄膜太阳能电池的背反射层[26845-0285-0063] 混成材料组合物、包含其的可挠曲透明薄膜及光电器件[26845-0108-0064] 自动薄膜封口机上有色印字装置[26845-0345-0065] 一种幕墙用薄膜太阳能电池模块及其制造方法[26845-0224-0066] 一种纳米晶薄膜的染料敏化太阳能电池及其制备方法[26845-0193-0067] 一种可降低量子点激发电压的复合薄膜制备方法[26845-0099-0068] 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法[26845-0260-0069] 一种具有陷光结构的硅薄膜光电池[26845-0189-0070] 一种测试薄膜残余应力及其沿层深分布的方法[26845-0113-0071] 陶瓷基片非晶硅薄膜太阳能电池[26845-0223-0072] 有机绝缘体组合物、有机绝缘膜、有机薄膜晶体管和电子设备以及形成这些产品的方法[26845-0301-0073] 一种脉冲电沉积制备均匀透明氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法[26845-0170-0074] 一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法[26845-0168-0075] 染料敏化纳晶薄膜太阳能电池对电极[26845-0063-0076] 多功能薄膜电阻-电容阵列[26845-0369-0077] 薄膜太阳能电池和薄膜太阳能电池的制造方法[26845-0177-0078] 一种p型ZnO薄膜的金属有机物化学气相沉积制备方法[26845-0343-0079] 一种透明导电薄膜及其制备方法[26845-0033-0080] 薄膜形成工艺[26845-0153-0081] 在聚合物薄膜之上的导电基底上具有聚合物涂层的图像转印带[26845-0003-0082] 含锑纳米复合薄膜及其制备方法[26845-0143-0083] 利用液相化学法制备硫族化合物热电薄膜的方法[26845-0028-0084] 激光脉冲检测用光电发射薄膜[26845-0064-0085] 宽波段叠层薄膜太阳能电池[26845-0267-0086] 一种制备氧化铜掺杂二氧化钛梯度薄膜的方法[26845-0181-0087] 掺磷制备p型氧化锌晶体薄膜的方法及其装置[26845-0158-0088] 铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法[26845-0105-0089] 宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池[26845-0253-0090] 可挠式光电薄膜及其制造方法[26845-0231-0091] 一种在硅晶片上制备高质量硅化镁薄膜的方法[26845-0420-0092] 一种金刚石薄膜太阳能电池[26845-0175-0093] 用于X射线检测器的薄膜晶体管阵列面板[26845-0365-0094] 硅纳米晶体光电池及其在薄膜晶体管面板内的应用[26845-0423-0095] 有机薄膜太阳能电池[26845-0384-0096] 一种制备高迁移率Mo掺杂In2O3透明导电薄膜的方法[26845-0058-0097] 用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜[26845-0082-0098] 非晶硅薄膜的处理方法[26845-0207-0099] 一种碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法[26845-0371-0100] 一种具有超晶格P型半导体层的硅薄膜太阳能电池[26845-0389-0101] 具有非晶硅多结构层薄膜的太阳能电池[26845-0044-0102] 一种调节硫化亚铜薄膜铜硫原子比的工艺[26845-0000-0103] class=\"dixian1\" >[26845-0081-0104] 在位化学改性制备氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法及其用途[26845-0312-0105] 双层掺杂层硅基薄膜太阳电池[26845-0025-0106] 分层优化新型薄膜电致发光器件[26845-0186-0107] 共蒸发结合后退火工艺制备AlSb薄膜[26845-0327-0108] 光电混载薄膜以及收放了它的电子设备[26845-0076-0109] 多层调制掺杂的ZnO-MgZnO透明导电氧化物薄膜[26845-0030-0110] 铁电薄膜电光系数测试方法[26845-0352-0111] 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一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法[26845-0195-0165] 硅类薄膜太阳能电池[26845-0257-0166] 一种纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法[26845-0035-0167] 光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件[26845-0417-0168] 双光束在线实时测量光学薄膜应力的装置[26845-0229-0169] 一种共轭聚合物与纳米粒子的复合薄膜及制备方法[26845-0242-0170] 一种可见光活性的碳掺杂纳米二氧化钛薄膜的制备方法[26845-0088-0171] 再次沉积的非晶硅薄膜[26845-0247-0172] 近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法[26845-0294-0173] 用于有机薄膜晶体管的材料[26845-0347-0174] 锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜及其制备方法[26845-0271-0175] 一种提高氧化锌薄膜紫外光致发光强度的方法[26845-0109-0176] 用光反射差法探测和监控薄膜外延生长的装置[26845-0183-0177] 钙钛矿锰氧化物异质薄膜及其制备方法[26845-0194-0178] 用于在SIC薄膜上外延生长适用表面的处理的方法[26845-0169-0179] 掺氮空穴型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法[26845-0215-0180] 一种用于太阳能电池的氧化锌薄膜及制备方法[26845-0410-0181] 卷帘式光控/手控塑料薄膜电子窗帘[26845-0037-0182] 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术[26845-0092-0183] 增强薄膜光伏器件光吸收的方法[26845-0329-0184] 在柔性衬底上制备透明导电薄膜及透明异质结的方法[26845-0021-0185] 氧化锌薄膜和使用该膜的衬底及光电转换器的制造方法[26845-0018-0186] 用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法[26845-0151-0187] 一种氮和铟共掺杂制备空穴型氧化锌薄膜的方法[26845-0180-0188] 一种水热制备Sm2O3薄膜的方法[26845-0208-0189] 叠层型薄膜太阳能电池及其制造方法[26845-0132-0190] 多元硫属光电薄膜的连续离子吸附反应制备方法[26845-0326-0191] 具光电薄膜晶体管的光学传感器[26845-0041-0192] 稀土掺杂的半导体薄膜[26845-0406-0193] 铁电薄膜低压电阻率测试装置[26845-0272-0194] 硅基薄膜光电转换装置、及其制造方法和制造设备[26845-0122-0195] 提高细菌视紫红质薄膜脉冲光电转换能力的方法[26845-0146-0196] 光学薄膜厚度控制方法及装置，绝缘多层薄膜及制造装置[26845-0307-0197] 一种p型ZnO薄膜制造方法[26845-0117-0198] 光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件[26845-0159-0199] 光催化聚合制备无机半导体/导电聚合物复合薄膜的方法[26845-0268-0200] ZnO:Bi光电薄膜及其制备方法[26845-0240-0201] 在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法[26845-0096-0202] 钛合金表面抗凝血氧化钛薄膜的光电催化氧化制备方法[26845-0218-0203] 一种氧化锌单晶纳米薄膜材料的制备方法[26845-0424-0204] 双面有机薄膜太阳能电池[26845-0425-0205] 相变薄膜微区光谱测量装置[26845-0220-0206] 一种高有序聚噻吩薄膜及其制备方法[26845-0290-0207] 禁带宽度梯度化MgxZn1-xO光电薄膜及其制备方法[26845-0382-0208] 在导电玻璃或铂片表面直接制备导电聚(二氧化硫芴)薄膜的方法[26845-0199-0209] 一种在蓝宝石衬底材料上外延生长AlXGa1-XN单晶薄膜的方法[26845-0340-0210] 一种制备硅纳米晶薄膜的方法[26845-0187-0211] 低温制备C轴择优取向二氧化钛薄膜的方法[26845-0367-0212] 一种可改善硫族半导体薄膜性能的水热处理方法[26845-0095-0213] 树脂薄膜及其制造方法、印刷品、标签及树脂成形品[26845-0308-0214] 利用表面活性剂修饰的二氧化钛合成超亲水性薄膜的方法[26845-0098-0215] 用三乙醇胺络合水基电沉积液制备硫氰酸亚铜薄膜的方法[26845-0201-0216] 一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法[26845-0141-0217] 银合金薄膜反射器和透明导电体[26845-0295-0218] 脉冲激光扫描直接制备α-FeSi2薄膜的工艺[26845-0155-0219] 薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备[26845-0333-0220] 硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法[26845-0213-0221] 一种含生色基团的聚酰亚胺薄膜及其制备方法[26845-0298-0222] 一种纳米薄膜太阳能电池[26845-0335-0223] 利用蚀刻与沉积工艺制造改进式薄膜型太阳能电池互连的方法[26845-0310-0224] 染料敏化太阳电池用有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜[26845-0412-0225] 小盒烟包装机烟盒透明薄膜反折检测装置[26845-0112-0226] 陶瓷基片结晶硅薄膜太阳能电池[26845-0239-0227] 一种交流电氧化金属钛制备二氧化钛薄膜的方法[26845-0302-0228] 在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法[26845-0315-0229] 半导体二硅化铁薄膜材料的制备方法[26845-0386-0230] 高锌含量介孔ZnO/TiO2复合薄膜的制备方法[26845-0157-0231] 用超声噴雾热解技术制备透明低电阻和高电阻复合薄膜[26845-0106-0232] 全电子检控塑料薄膜自动封切机[26845-0348-0233] 染料/氧化物半导体杂化薄膜的制备方法[26845-0366-0234] 利用短TiO2纳米管阵列薄膜电极光电催化降解有机物的方法[26845-0214-0235] 一种p型透明导电硫化物薄膜的制备方法[26845-0256-0236] 一种用于空间的双结柔性叠层薄膜太阳能电池[26845-0006-0237] 宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池[26845-0060-0238] 一种适于宽带半导体硫(硒)化锌－锰薄膜的生长方法[26845-0411-0239] 一种实时光学薄膜厚度监控设备[26845-0234-0240] 一种FeS2薄膜晶粒度的控制方法[26845-0198-0241] GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法[26845-0204-0242] 一种高度c轴取向的纳米多孔氧化锌薄膜及其制备方法[26845-0179-0243] 一种高功函数透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法[26845-0232-0244] 一种制备纳米金属碘化物薄膜的化学方法[26845-0090-0245] 薄膜太阳能电池的光漫射层[26845-0154-0246] 在室温下制备二氧化钛薄膜的方法[26845-0226-0247] 制备纳米多孔薄膜的高速旋涂法[26845-0344-0248] 一种减反射抗雾薄膜及其制备方法、专用涂液与应用[26845-0134-0249] 热透镜透反式薄膜吸收测量方法及装置[26845-0128-0250] 使薄膜容易控制的方法和夹紧装置[26845-0281-0251] 向列液晶薄膜的制备及其中高分辨瞬态光栅的记录方法[26845-0196-0252] 二氧化钛纳晶光散射薄膜电极的制备方法[26845-0221-0253] 光电转换用纳米SnO2/TiO2复合薄膜的制备工艺[26845-0131-0254] 一种测量薄膜沉积速率的方法[26845-0341-0255] 倾斜式生长形貌可控的纳米发光柱状薄膜的方法及装置[26845-0152-0256] 全自动药物包装盒薄膜捆包机[26845-0001-0257] 钛酸铋钠系列薄膜材料及其制备方法[26845-0407-0258] 薄膜三维包装机的送膜装置[26845-0252-0259] 近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法[26845-0145-0260] 一种制备纳米二氧化钛薄膜的方法及其装置[26845-0000-0261] class=\"dixian1\" >[26845-0246-0262] 光学薄膜厚度控制方法及装置,绝缘多层薄膜及制造装置[26845-0162-0263] 电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法[26845-0287-0264] 高速沉积优质本征微晶硅薄膜的制备方法[26845-0362-0265] 一种窄带隙薄膜光伏材料β-FeSi2的制备方法[26845-0228-0266] 氨气调控氮掺杂改性TiO2薄膜的制备方法及高压反应装置[26845-0227-0267] 光电子薄膜芯片[26845-0087-0268] Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法[26845-0091-0269] 获得氢化硅薄膜粗糙表面的方法[26845-0334-0270] 硅基近红外发光薄膜材料的制备方法[26845-0419-0271] 一种具有超晶格的硅基薄膜太阳能电池[26845-0070-0272] 一种硅薄膜光电池的电极图案及蚀刻方法[26845-0316-0273] 多晶硅—碳化硅叠层薄膜太阳能电池[26845-0048-0274] 干法制备硫化亚铜薄膜方法[26845-0306-0275] 一种硅薄膜太阳能电池的制作方法[26845-0068-0276] 双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法[26845-0235-0277] 宏观取向有序介孔二氧化硅薄膜的制备方法[26845-0323-0278] 用于形成薄膜太阳能电池的基于托盘的系统[26845-0233-0279] 一种P型透明导电的锡锑氧化物薄膜材料及其制造方法[26845-0202-0280] 一种硒化锌多晶纳米薄膜的制备方法[26845-0133-0281] 一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的三缓冲层方法[26845-0305-0282] 禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜材料及制备方法[26845-0286-0283] 连续离子层吸附反应法制备铜铟硒化合物薄膜的方法[26845-0038-0284] 氧化锌薄膜、光电转换元件、及它们的生产方法[26845-0331-0285] 用于薄膜光电装置的工艺测试器和测试方法[26845-0008-0286] 一种高速生长硅基薄膜的低成本技术[26845-0046-0287] 具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器[26845-0020-0288] 薄膜厚度和折射率的成像检测法及其设备[26845-0086-0289] 单室等离子箱制作薄膜硅光电转换器件的方法[26845-0255-0290] 一种用于空间的三结柔性叠层薄膜太阳能电池[26845-0262-0291] 一种钽掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法[26845-0015-0292] 一种P型氧化锌薄膜的制备方法[26845-0029-0293] 非晶硅/铁电陶瓷复合薄膜及其应用[26845-0079-0294] 一种二维有序有机半导体复合纳米薄膜及其专用基底与它们的制备方法[26845-0296-0295] 透明稀土掺杂钛酸铋发光铁电薄膜及其制备方法[26845-0121-0296] 形成和控制共轭材料薄膜的结构、电学、光学和光电子学性能各向异性的、微米和纳米级制造方法[26845-0383-0297] 基于氢化硅的薄膜本征层、薄ぬ裟艿绯丶爸圃旆椒?ipc=H01L31/0352(2006.01)I\" class=\"a01\">200810091631.3[26845-0069-0298] 表面活性剂法制备表面平整的高质量氧化锌外延薄膜[26845-0349-0299] 薄膜太阳能电池模块及其制造方法[26845-0408-0300] 一种ZnO基透明薄膜晶体管[26845-0115-0301] 双折射率胶层防反射光学薄膜[26845-0404-0302] 一种薄膜叠层太阳能电池[26845-0309-0303] 一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法[26845-0124-0304] 利用覆盖铁电薄膜增强α-Al2O3中Cr3+发光效率的方法[26845-0077-0305] 薄膜制造方法[26845-0085-0306] 在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法[26845-0074-0307] 一种生长氧化锌薄膜的装置及方法[26845-0125-0308] 薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备[26845-0019-0309] 具有埋入触头的多层薄膜太阳能电池[26845-0381-0310] 纳米复合稀土掺杂钛酸铋铁电薄膜及其制备方法[26845-0023-0311] 具有多层薄膜迭合的半导体层的薄膜光电电动势元件[26845-0265-0312] 一种发光碳化硅薄膜的制备方法[26845-0053-0313] 用于光电池的二氧化钛薄膜[26845-0361-0314] 非晶硅/染料敏化叠层薄膜太阳电池及其制备方法[26845-0059-0315] 氧化物透明导电薄膜材料[26845-0100-0316] 一种纳米硅薄膜的制备方法[26845-0123-0317] 獾缱槐∧ぁ⑿畹缡阶爸眉笆褂么酥肿爸玫南允酒?ipc=G02F1/01\" class=\"a01\">03149521.4[26845-0049-0318] 三维半导体薄膜光电极制备和应用[26845-0264-0319] 一种以NH3作为N源的In-N共掺制备p型ZnO薄膜的方法[26845-0062-0320] 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