酸性蚀刻液配方技术专题,酸性蚀刻液,线路板蚀刻废液,方法

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酸性蚀刻液配方技术专题,酸性蚀刻液,线路板蚀刻废液,方法蚀刻液类技术资料(198元/全套)欢迎选购！请记住本套资料（光盘）售价：198元/全套)；资料（光盘）编号：F317990敬告：我公司只提供技术资料，不能提供任何实物产品及设备，也不能提供生产销售厂商信息。[28487-0127-0001] 导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子图案化的方法 [摘要] 本发明的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明的导电性蚀刻液，其特征为其是选自由下列所组成的族群中的蚀刻液：(1)含有超过0.5重量％、70重量％以下的(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量％以上、30重量％以下的Ce(SO4)2的蚀刻液；(2)含有超过0.5重量％、30重量％以下的(NH4)4Ce(SO4)4的蚀刻液；(3)作为有效氯浓度为0.06重量％以上，并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液；(4)包括含有5重量％以上的盐酸、含有20重量％以上的硝酸，(盐酸浓度+0.51×硝酸浓度)的值为35重量％以下、且(盐酸浓度+0.5×硝酸浓度)的值为30重量％以上的亚硝酰氯的蚀刻液；(5)含有3重量％以上、40重量％以下的溴酸化合物，且含有4重量％以上的无机酸的蚀刻液；(6)含有6重量％以上、40重量％以下的氯酸化合物，且含有7重量％以上的卤化氢的蚀刻液；(7)含有0.001重量％以上、20重量％以下的高锰酸化合物的蚀刻液；以及(8)含有3重量％以上、30重量％以下的六价铬化合物的蚀刻液。[28487-0060-0002] 用于铝及铝合金的化学蚀刻溶液 [摘要] 一种用于铝及铝合金的化学蚀刻溶液，其特征在于由盐酸(36％-38％(重量百分数，下同)的溶液)、硫酸(95％-98％的溶液)、磷酸(不小于85％的溶液)和额外添加的水所组成，它们的体积百分数范围为盐酸2％-10％、硫酸5％-25％、磷酸50％-80％、水10％-20％。它还可以含有一种添加剂乙二胺四乙酸二钠，该添加剂的浓度为0.01-1g/L。本发明的蚀刻溶液可在常温下使用，具有腐蚀速度快，侧蚀小，溶液使用寿命长和加工成本低等优点，即使在静止溶液中也可实现铝及铝合金的快速蚀刻。[28487-0128-0003] 蚀刻液组合物 本发明提供能够将铝膜或铝合金膜等金属膜控制性良好地、且在抑制、防止抗蚀涂层渗透发生的情况下进行蚀刻，从而得到具有所需锥形形状和优异平坦性的金属膜的蚀刻液组合物。将含有磷酸、硝酸、有机酸盐的水溶液作为用于蚀刻基板上的金属膜的蚀刻液组合物使用。作为所述有机酸盐，使用从选自脂肪族单羧酸、脂肪族多羧酸、脂肪族氧代羧酸、芳香族单羧酸、芳香族多羧酸、芳香族氧代羧酸中的至少1种的、铵盐、胺盐、季铵盐、碱金属盐中选出的至少1种。此外，所述有机酸盐的浓度为0.1～20重量％的范围。此外，本发明的蚀刻液组合物在所述金属膜是铝或铝合金时使用。[28487-0024-0004] 一种印制电路蚀刻液 [摘要] 本发明属于印制电路板制造技术领域。本发明提供了一种经济，实用，快速、高效和易于再生的印制电路蚀刻液。该蚀刻液的配方为：HNO3(5％～15％)、H2SO4(8％～20％)、Na2SO4(1％～6％)、添加剂0.01～0.2％，其中添加剂是含有如下一种或一种以上表面活性剂的复配剂：C10～C12脂肪醇聚氧乙烯醚磺基琥珀酸半酯二钠盐、脂肪醇聚氧丙烯聚氧乙烯醚、聚氧乙烯(20)失水三梨醇单月桂酸酯、烷基聚氧乙烯醚硫酸酯铵盐或钠盐、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸酯铵盐或钠盐、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚。采用本发明制造出印制电路侧蚀非常小，且蚀刻液再生容易，能较长时间的循环使用，废液处理容易，对环境的污染小。[28487-0009-0005] 印制线路板碱性蚀刻铜废液处理方法 [摘要] 本发明是印制线路板碱性蚀刻铜废液处理方法，它采用废液处理与蚀刻工序相互连接形成一个闭路循环，其工艺：蚀刻液通过离心萃反联合处理工序得到萃余液；萃余液经除油器除油后变为再生蚀刻液，直接返回蚀刻液调配工序，可直接循环使用；萃余液经除油后回收并补充有机相后返回到离心萃返联合工序中循环使用；蚀刻废液经离心萃反联合工序后的反萃液中的铜以电积或结晶方式可得到电铜或结晶硫酸铜从反萃液中分离出来；剩余液经反萃取调配循环使用。本发明克服和解决了现有技术的缺点和问题，消除了污染，达到零排放、环境友好、成本低、经济效益高。[28487-0055-0006] 干蚀刻后的洗涤液组合物及半导体装置的制造方法 [摘要] 本发明提供一种不使蚀刻形状变化而可以除去在绝缘膜的干蚀刻时在蚀刻壁面产生的残渣(特别是聚合物残渣)的洗涤液组合物。该洗涤液组合物用于绝缘膜的图案蚀刻的后处理洗涤，含有至少一种氟化合物、乙醛酸、至少一种有机酸盐及水。氟化合物使用氟化铵。有机酸盐使用草酸铵、酒石酸铵、柠檬酸铵、以及乙酸铵中的至少一种。[28487-0013-0007] 一种铜蚀刻液组合物及其生产方法 [摘要] 本发明公开了一种应用于蚀刻印刷线路板表面的铜或铜合金的酸性铜蚀刻液组合物及其生产方法。它按重量百分比由以下组分组成：氯化铵6％～8％、氯化钠0.7％～0.9％、盐酸35％～37％，剩余为水。生产所述铜蚀刻液组合物的方法包括：(1)在生产槽中按照比例依次加入原材料氯化铵、氯酸钠、盐酸和水，(2)经搅拌至完全溶解后进行检验。所述的铜蚀刻液为单液使用型，可以在不改变现有生产系统下使用，具有稳定性高，对基板侧蚀少，蚀速快，能够降低生产成本，避免环境污染。[28487-0071-0008] 从酸性蚀刻液中回收盐酸和硫酸铜的方法 [摘要] 一种从酸性蚀刻液中回收盐酸和硫酸铜的方法，其特征在于依次包含以下步骤：(1)回收盐酸。将酸性蚀刻废液装在耐酸的蒸馏装置中，然后加入浓硫酸，加热至沸腾状态通过蒸馏回收盐酸，其中，浓硫酸的浓度为98％或98％以上；浓硫酸的加入量以蒸馏装置中铜离子含量与硫酸完全反应所需的理论值为基础，再增加5～15％。(2)回收硫酸铜。①对回收盐酸后剩余的残查加水溶解，使残查中的硫酸铜充分溶解，水的加入量控制在加入酸性蚀刻废液体积的30～70％；②利用高温到低温的温度变化通过冷却使硫酸铜结晶析出，温度变化的温差控制在50±10℃范围；③对硫酸铜结晶体进行过滤和洗涤得到硫酸铜。本发明采用最简单的蒸馏法来回收蚀刻废液中的有用资源。这种方法工艺设备简单，操作简便，不污染环境，见效快，具有广泛的实用价值。[28487-0030-0009] 蚀刻液管理装置 [摘要] 将蚀刻液自动控制在规定的硝酸浓度、醋酸浓度及磷酸浓度而且对蚀刻液处理槽的液体补给进行适当的管理、并且使蚀刻性能经常一定化的同时削减使用原液量、大幅度缩短停工时间从而使综合制造成本的减低成为可能。本发明提供一种蚀刻液管理装置，其是在具备贮存含有硝酸的蚀刻液的蚀刻液处理槽、使在所述蚀刻液处理槽中贮存的蚀刻液进行循环的蚀刻液循环机构、输送被利用所述蚀刻液循环机构循环的蚀刻液蚀刻的含铝膜的基板的蚀刻处理机构的蚀刻处理装置中使用的蚀刻液管理装置，其特征在于，具备：对蚀刻液进行取样的蚀刻液取样机构、用纯水稀释利用所述蚀刻液取样机构取样的蚀刻液的稀释机构、通过测定利用所述稀释机构稀释的蚀刻液的电导率而得到与所述蚀刻液的硝酸浓度相关的电导率值的电导率计、基于利用所述电导率计得到的电导率值向所述蚀刻液处理槽供给补充液的补充液供给机构。[28487-0057-0010] 酸性蚀刻液再生方法和酸性蚀刻液再生装置 [摘要] 本发明的目的在于提供含有草酸的蚀刻液再生方法和含有草酸的蚀刻液再生装置，其可以降低含有草酸的蚀刻液的全量交换的频率。在本发明中，其包括用NF膜25将用于ITO的蚀刻的含有草酸的蚀刻液过滤，分离为透过液和非透过液的过滤工序。[28487-0074-0011] 用于生产铜饲料添加剂的印制电路板蚀刻废液的除砷方法[28487-0063-0012] 深沟渠的制备方法及其蚀刻混合液[28487-0092-0013] 蚀刻液组合物、研磨用组合物及其制造方法以及研磨方法[28487-0002-0014] 废蚀刻液重复使用的方法[28487-0040-0015] 含镍三氯化铁蚀刻废液的萃取分离方法[28487-0061-0016] 用于钛及钛合金的化学蚀刻溶液[28487-0075-0017] 用于半添加法印刷布线基板制造的蚀刻除去方法及蚀刻液[28487-0098-0018] 铜的蚀刻液以及蚀刻方法[28487-0023-0019] 平板玻璃基板减薄蚀刻液[28487-0011-0020] 蚀刻方法以及蚀刻液的定量分析方法[28487-0087-0021] 一种印刷线路板酸性蚀刻废液处理系统及方法[28487-0093-0022] 平板显示器玻璃蚀刻液[28487-0041-0023] 蚀刻液组合物[28487-0056-0024] 钛或钛合金用蚀刻液[28487-0108-0025] 印制电路板酸性蚀刻废液中砷和铁的去除方法[28487-0125-0026] 蚀刻液组合物[28487-0102-0027] 半导体用氟表面蚀刻液及其制备方法[28487-0046-0028] 蚀刻液[28487-0035-0029] 蚀刻剂、补充液以及用它们制造铜布线的方法[28487-0036-0030] 蚀刻液、其补给液、使用其的蚀刻方法和布线基板的制法[28487-0032-0031] 银合金蚀刻液[28487-0047-0032] 用于多层铜和钼的蚀刻溶液及使用该蚀刻溶液的蚀刻方法[28487-0006-0033] 处理氯化铜蚀刻废液的方法和设备[28487-0025-0034] 用于制造印制电路板的蚀刻液及蚀刻方法[28487-0045-0035] 蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物制造反射板的方法[28487-0089-0036] 半导体基板的制造方法、太阳能用半导体基板及蚀刻液[28487-0020-0037] 一种电化学蚀刻液及蚀刻方法[28487-0018-0038] 铝合金化学蚀刻液[28487-0067-0039] 用于蚀刻铜表面的溶液和在铜表面上沉积金属的方法[28487-0038-0040] 用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法[28487-0048-0041] 蚀刻液组合物[28487-0021-0042] 一种酸性蚀刻废液中有价资源的回收方法及回收系统[28487-0090-0043] 蚀刻液组合物[28487-0028-0044] 改进的微蚀刻溶液[28487-0110-0045] 蚀刻液及导体图案的形成方法[28487-0105-0046] 钯选择性蚀刻液以及控制蚀刻的选择性的方法[28487-0059-0047] 蚀刻溶液及利用包括该溶液的过程形成半导体器件的方法[28487-0022-0048] 防眩玻璃制品刻蚀液配方及蚀刻工艺[28487-0082-0049] 蚀刻方法和蚀刻液[28487-0058-0050] 挠性印刷电路绝缘薄膜的化学蚀刻法及其蚀刻液[28487-0031-0051] 一种线路板蚀刻废液回收制取氧化铜或硫酸铜的装置[28487-0073-0052] 印刷线路板蚀刻废液微波循环处理工艺[28487-0099-0053] 线路板蚀刻废液回收制取氧化铜/硫酸铜的方法及装置[28487-0051-0054] 蚀刻液和补给液以及使用它们的导体图案的形成方法[28487-0052-0055] 用于缓冲酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂[28487-0010-0056] 蚀刻液组合物[28487-0012-0057] 蚀刻液以及使用此蚀刻液的图案化导电层的制造方法[28487-0091-0058] 酸性蚀刻废液中回收草酸铜和酸液的方法[28487-0113-0059] 用于铜/钼金属的蚀刻液组成物及蚀刻方法[28487-0001-0060] 用于高锰酸盐蚀刻液电化学再生的阴极[28487-0084-0061] 铜锡电镀污泥与线路板蚀刻液联合处理方法[28487-0126-0062] 透明导电薄膜用湿法蚀刻液及其制造方法[28487-0080-0063] 用线路板蚀刻废液生产氯化铵的方法[28487-0132-0064] 氯化铜酸性蚀刻液的再生及铜回收装置[28487-0053-0065] 用于含水酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂[28487-0085-0066] 可电解回收的蚀刻溶液[28487-0054-0067] 银合金蚀刻液[28487-0043-0068] 蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统[28487-0027-0069] 用于铜和铜/镍层的稳定化的蚀刻溶液[28487-0081-0070] 清洁溶液和蚀刻剂及其使用方法[28487-0076-0071] 蚀刻剂以及使用该蚀刻剂制造液晶显示器的方法[28487-0122-0072] 蚀刻液[28487-0096-0073] 碱性蚀刻液及其生产方法[28487-0115-0074] 可再循环利用的蚀刻溶液[28487-0123-0075] 一种酸性废蚀刻液的循环再生方法及装置[28487-0117-0076] 用于图案化薄膜晶体管—液晶装置中的电路的蚀刻剂组合物[28487-0007-0077] 铜蚀刻液用添加剂[28487-0069-0078] 再生用于蚀刻或酸蚀铜或铜合金的含铁蚀刻溶液的方法和进行所述方法的装置[28487-0072-0079] 含钛层用蚀刻液以及含肽层的蚀刻方法[28487-0120-0080] 构成平板显示器的玻璃的蚀刻液组合物[28487-0121-0081] 蚀刻液[28487-0014-0082] 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